SK海力士于2026年8月27日在美国印第安纳州西拉法叶举行HBM封装厂奠基仪式，宣布超过40亿美元投资计划，预计2029年第3季量产下一代HBM4E高频宽记忆体 [1, 2]。
该新厂计划于2028年下半年启用无尘室，年产能将达数十万片晶圆，产品主要供应给NVIDIA、微软和谷歌等美国客户 [1, 2]。美国政府依据《晶片法》提供约4.58亿美元补助及最高5亿美元贷款支持，预计该项目将创造约7000个直接及间接就业岗位 [1, 2]。
SK海力士执行长郭鲁正表示，AI技术已经改变记忆体产业规则，使HBM需求更为稳定，且全球记忆体短缺可能持续至2030年底。他说：“AI客户需求依然强劲，全球记忆体短缺可能一路持续至2030年底。” [1]他还透露，若电力、水源和人才等条件具备，公司不排除在美国继续加码投资 [1]。
与此同时，SK海力士也获得南韩政府批准，计划投入54.3兆韩元扩建晶圆厂，投资计划将持续至2031年 [1]。公司还在考虑与日本客户及供应商合作开发NAND技术，成为日本铠侠（Kioxia）最大股东，持股14.19% [1]。
在AI记忆体技术方面，三星电子主要聚焦PIM（记忆体内运算）技术，主要应用于边缘设备市场；而SK海力士则专注提升HBM性能，推动包括混合键合与iHBM技术，以解决HBM散热问题。专家认为PIM和HBM技术将呈互补发展，前者适合AI推论和边缘计算，后者主要用于资料中心高阶服务器 [3]。
韩国学者指出，面对中国半导体快速崛起，韩国厂商必须加快开发下一代AI记忆体技术以维持竞争优势 [3]。
SK海力士全球HBM市场份额在2023年第一季达58%，远超三星和美光各21%的市场占有率 [1]。
新厂预计于2028年下半年开始启用，2029年第三季度投产HBM4E产品，进一步巩固SK海力士在高性能记忆体市场的领先地位 [1, 2]。
