韩国半导体巨头SK海力士宣布，将于2026年7月10日在美国纳斯达克交易所上市美国存托凭证（ADR），计划通过发行1779万股新股筹资约45.45兆韩元（约290亿美元） [1, 2, 3, 4, 5, 6, 7]。此次募资将主要用于支持韩国龙仁半导体产业聚落的晶圆厂建设、清州先进封装厂以及芯片制造设备采购，以巩固其全球领先地位 [3, 4, 5, 6, 7]。

早在今年3月，SK海力士已向美国证券管理委员会递交上市申请，启动相关程序 [3, 4, 5, 6]。在宣布上市计划前，SK海力士股价表现强劲，6月24日美国盘后上涨15%，6月25日上午在韩国市场涨逾9%，推动KOSPI指数大涨超过5% [1]。截至2026年5月，SK海力士市值首次突破1兆美元大关，曾超越三星电子成为韩国市值最高上市公司 [3, 4, 5, 6]。

SK海力士目前是全球前三大高频宽存储器(HBM)制造商之一，2025年第四季度占据全球57%的HBM市场份额 [8]。受益于人工智能热潮推动的存储需求强劲，美光科技预计2026年第四季度收入达500亿美元，每股盈利31美元 [1]。不过，业界消息称SK海力士正有意放缓第六代HBM4的扩产计划，调整战略以应对部分客户需求的波动 [6]。

韩国金融监督院已确认，SK海力士将在7月初提交与ADR挂钩的新股发行计划，预计最快在7月3日完成审批流程 [9, 6]。此外，日本存储芯片厂商铠侠也计划于2027年4月至6月间发行美国存托凭证赴美上市，已启动承销商挑选程序。铠侠财务长河村芳彦表示，“这项计划对我们意义重大，因为能和美国市场建立直接连结，我们也会全力以赴，确保计划成功” [10, 11, 12]。