中国长鑫存储正在加速推进DRAM技术研发和产能扩张，目标挑战全球前三强的市场地位。公司开发的键合式DRAM技术采用晶圆对晶圆混合键合（W2W），通过深紫外光（DUV）设备生产，摆脱对极紫外光（EUV）的依赖，实现高密度和高效能的产品制造 [1, 2]。
目前，长鑫已将约20%的产线调整为高频宽记忆体（HBM）生产，重点打造HBM3及HBM3E系列，计划于2027年实现HBM3E的量产，以满足快速增长的人工智能芯片市场需求 [1, 3, 2]。
预计到2026年底，长鑫存储的月产能将达到35万片晶圆，已接近全球第三大DRAM厂商美光的38.5万片水平。公司计划通过首次公开募股（IPO）筹资295亿元人民币，用于扩大产能，并力争在2028年将月产能提升至50万片，其中HBM产品产能占10万片 [3, 2]。
在技术差距方面，首尔大学荣誉教授金亨俊表示，中国与韩国三星电子、SK海力士仍有2到3年的先进工艺差距，但长鑫借助政府资源支持、产能扩张和研发投资，追赶速度显著加快，令人关注 [3, 2]。长鑫目前已在安徽合肥试产键合DRAM试产线，尝试使用DUV多重曝光和晶圆键合技术制造高密度DRAM，技术水平有望超过三星和SK海力士 [1, 2]。
长鑫全球DRAM市占率已提升至约8%，并有望成为苹果的新DRAM供应商，积极布局包括CXL记忆体的市场应用 [2]。
未来，长鑫存储将继续推动产能和技术升级，重点推动2027年HBM3E产品量产，及2028年实现月产50万片晶圆的目标，强化其在全球半导体记忆体市场的竞争力 [3, 2]。
