韩国政府今年公布计划，投入约5000亿韩元（约3.29亿美元）研发次世代功率半导体，属于“超级创新经济计划”一部分 [1, 2]。
包括私营资金在内，整体投资规模有望达到7500亿韩元（约4.94亿美元） [1, 2]。韩国重点研发碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）材料，旨在实现涵盖材料、元件、模块及系统验证的完整国产供应链，推动高端功率半导体商业化 [1, 2]。
功率半导体是人工智能数据中心、可再生能源电网、国防、机器人和航天等领域稳定高效电力传输的关键元件。相比传统硅基半导体，SiC和GaN芯片在高温、高电压、高频条件下性能更优，能显著降低能耗损失 [1, 2]。
为加速实验室研究成果向规模生产的转化，政府计划升级釜山和浦项的半导体产业园区，缩短生产链条时间 [2]。
由副总理具允哲和产业通商能源部牵头，政府已召开多轮会议，推动研产路线图制定，并鼓励具备需求的企业直接参与产品开发 [1, 2]。
韩国方面担忧对海外功率半导体技术依赖可能成为人工智能、国防和能源转型的战略弱点，因此强调自主研发的重要性 [1, 2]。
