SK海力士已于2026年8月18日向其核心客户交付了12层的新一代HBM4E芯片样品，用于下一代AI DRAM应用 [1]。该芯片每针脚最大数据处理速度可达16Gbps，能源效率较上一代提升超过20%，显著提高了性能和能效表现 [1]。
HBM4E芯片通过最新接口和设计优化，降低了数据传输延迟，并在高带宽环境下运行更稳定，有助于满足人工智能和高性能计算需求 [1]。据SK海力士开发总管社长介绍，公司依托领先的技术能力和制造专长，以HBM4E巩固其在AI领域的领导地位。他强调公司将与合作伙伴紧密合作，确保芯片及时实现量产，满足市场需求 [1]。
此前，三星电子已于今年5月底率先向客户提供12层HBM4E芯片样品，抢占市场先机 [1]。SK海力士的后续交付标志着其加快进入该高性能存储器市场的步伐，进一步推动AI芯片技术进步。
下一步，SK海力士将继续与合作伙伴协调，加速HBM4E芯片的量产计划，并推动其在人工智能和数据中心等关键领域的应用拓展 [1]。
