韩国存储芯片厂商SK海力士正考虑将部分高带宽存储器（HBM）基底晶粒的代工订单，从目前的台积电转移至英特尔，最快可能从第七代HBM产品HBM4E开始生产 [1, 2, 3, 4]。
HBM基底晶粒位于HBM封装结构底层，功能包括结构支撑和作为GPU、CPU与HBM之间的高速数据传输接口（逻辑晶粒） [2, 3]。SK海力士此前自行生产HBM3E及之前世代基底晶粒，自HBM4起改由台积电12纳米工艺代工制造 [2, 3, 4]。不过，台积电制造HBM基底晶粒成本约是SK海力士自制核心晶粒成本的3至4倍，且预计在HBM4E世代成本压力将进一步增大 [2, 3]。
英特尔于2026年6月聘请了前SK海力士执行长李锡熙担任晶圆代工事业资深副总裁，强化双方合作关系 [1, 4]。英特尔希望借助与SK海力士合作，提升晶圆代工的外部客户收入，目前此类收入约占英特尔代工部门总营收的5%，第二季度晶圆代工营收达58亿美元 [1, 3, 4]。
台积电受产能瓶颈和成本上涨影响，计划自2027年起将7纳米以下先进制程及部分成熟制程价格调涨5%至10% [1, 4]。此举或加剧SK海力士对代工成本的压力，促使其评估引入英特尔作为第二代工厂选项。
SK海力士近期在美国印第安纳州举办了先进封装厂动土仪式，计划于2029年下半年投产下一代HBM，并拟将英特尔纳入封装供应链 [1, 4]。
针对是否已决定将HBM4E基底晶粒生产交由英特尔负责，SK海力士回应称：“有关公司技术路线图的内容，我们不便确认。至于将HBM4E基底晶粒生产交由英特尔负责一事，目前并没有进行相关检讨。”但多家媒体报道显示相关评估和讨论正在进行中 [2]。
此外，中国存储芯片制造商长鑫科技已开始小批量生产先进HBM3E芯片，计划2027年扩大产量，多家中国芯片设计公司如阿里巴巴平头哥和北京寒武纪正测试将其芯片与自家处理器搭配使用 [5, 6]。
SK海力士计划在投资美国印第安纳州先进封装厂后，结合台积电3纳米工艺和有可能的英特尔代工，推进HBM4E及后续产品开发和量产 [1, 4]。
