韩国存储芯片制造商SK海力士于2026年7月26日正式发布了名为iHBM的新一代控温散热存储技术，该技术集成了ICE（Integrated Cooling Elements）冷却元件，有效减少高带宽存储器(HBM)内部产生的热量 [1, 2]。
iHBM技术创新地在HBM封装中直接植入电气绝缘且导热率优越的硅基冷却元件，将芯片间物理层（D2D PHY）热阻降低超过30%，有助于缓解AI芯片在高频运算时面临的散热瓶颈问题 [3, 2]。
SK海力士计划将该技术首次应用于下一代HBM5产品，以满足高性能计算和人工智能数据中心对高集成度、高带宽及高效散热的迫切需求，并提升系统整体稳定性和运行效率 [1, 3, 2]。
iHBM采用了市场验证的MR-MUF先进封装工艺，具备高产出率及优良生态兼容性。该技术支持客户导入时不需大幅调整系统设计，从而降低实施成本与周期，加速产业推广 [3, 2]。
通过iHBM技术的推广，SK海力士力图巩固其在AI存储和下一代高频宽记忆体市场中的技术领先地位 [1, 3, 2]。
下一步，SK海力士将围绕HBM5产品整合iHBM技术，推动样品测试及客户评估，预计将在2026年底前开始量产。
